日本FLOM公司的UI-22-110D（PCTFE泵）憑借其高精度、耐腐蝕、低污染的特性，在半導(dǎo)體制造和電子化學(xué)品處理中具有重要應(yīng)用價值。

1. 光刻膠（Photoresist）的精確涂布與分配

應(yīng)用場景

• 旋涂（Spin Coating）輔助供液：在晶圓涂膠過程中，需高精度控制光刻膠的輸送量（μL級別），避免涂布不均勻。

• 噴墨式光刻（Inkjet Lithography）：用于新興的直寫光刻技術(shù)，精準(zhǔn)分配光刻膠液滴（如80μL/次）。

技術(shù)優(yōu)勢

• 低脈動輸送：減少氣泡和流量波動，避免涂膠缺陷（如條紋、厚度不均）。

• PCTFE耐化學(xué)性：兼容正膠（如AZ系列）、負(fù)膠（如SU-8）及溶劑（PGMEA、丙酮等）。

• 超低流量控制（0.001mL/min）：適合高價值光刻膠的節(jié)約型使用。

2. 蝕刻液（Etchant）與清洗劑的精準(zhǔn)供給

應(yīng)用場景

• 濕法蝕刻（Wet Etching）：精確輸送HF（氫氟酸）、H?PO?（磷酸）等腐蝕性液體，控制蝕刻速率。

• 晶圓清洗：分配SC1（氨水+雙氧水）、SC2（鹽酸+雙氧水）等清洗液，避免過量使用導(dǎo)致表面損傷。

技術(shù)優(yōu)勢

• 耐強(qiáng)酸強(qiáng)氧化劑：PCTFE對HF、HCl、H?SO?等耐受性優(yōu)于普通塑料泵。

• 壓力限制保護(hù)：防止管路堵塞或泄漏導(dǎo)致壓力異常，保護(hù)晶圓和設(shè)備安全。

• 無金屬污染：不銹鋼+藍(lán)寶石柱塞設(shè)計(jì)，避免金屬離子污染（如Fe、Ni遷移）。

3. CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）漿料輸送

應(yīng)用場景

• 拋光液（Slurry）定量供給：在CMP工藝中，需穩(wěn)定輸送SiO?、Al?O?等納米顆粒懸浮液。

技術(shù)優(yōu)勢

• 耐磨設(shè)計(jì)：藍(lán)寶石柱塞和PCTFE泵頭可減少漿料磨損，延長壽命。

• 低脈動：避免漿料沉降或流量不均影響拋光均勻性。

4. 高純化學(xué)品（Ultra High Purity, UHP）輸送

應(yīng)用場景

• 半導(dǎo)體級溶劑：如IPA（異丙醇）、DMSO（二甲基亞砜）、NMP（N-甲基吡咯烷酮）的精準(zhǔn)分配。

• 電鍍液（Electroplating）：銅、鎳等金屬電鍍液的定量添加。

技術(shù)優(yōu)勢

• 化學(xué)兼容性廣：PCTFE幾乎不吸附有機(jī)物，適合高純?nèi)軇?/span>

• 無顆粒脫落：相比普通蠕動泵，減少污染風(fēng)險。

5. 先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）

應(yīng)用場景

• 底部填充（Underfill）：在芯片封裝中精確注入環(huán)氧樹脂，避免空洞（Voids）。

• 導(dǎo)電膠（Conductive Adhesive）分配：用于微米級焊點(diǎn)或3D IC堆疊。

技術(shù)優(yōu)勢

• 高粘度流體適應(yīng)（需選配高壓版本）：可處理1000cPs以上膠體。

• RS232C控制：支持與點(diǎn)膠機(jī)器人聯(lián)動，實(shí)現(xiàn)自動化生產(chǎn)。

選型與使用注意事項(xiàng)

適用條件

? 推薦場景

• 微量化學(xué)液分配（0.001–10mL/min）

• 腐蝕性/高純液體輸送

• 低脈動要求的精密工藝

? 限制因素

• 不適用于超高壓力（＞2MPa）場景，如高壓HPLC。

• 含氟類溶劑（如全氟醚）可能滲透PCTFE，需測試兼容性。

維護(hù)建議

1. 定期清洗：使用后需用兼容溶劑（如IPA）沖洗泵頭，避免結(jié)晶或固化。

2. 密封件更換：長期接觸強(qiáng)酸（如HF）時，建議每6–12個月檢查柱塞密封。

3. 校準(zhǔn)流量：半導(dǎo)體工藝對精度要求高，建議每3個月校準(zhǔn)一次。

結(jié)論

FLOM UI-22-110D在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用核心價值在于：
? 超高精度（0.3%重現(xiàn)性）滿足微電子制造嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。
? 耐腐蝕+低污染特性適配半導(dǎo)體化學(xué)品（光刻膠、蝕刻液、UHP溶劑）。
? 低脈動+緊湊設(shè)計(jì)適合集成到自動化設(shè)備（如涂膠機(jī)、清洗臺）。

若需更高壓力或更大流量，可考慮FLOM其他系列（如金屬泵頭型號），但UI-22-110D在微量、高純、腐蝕性流體領(lǐng)域仍是優(yōu)選方案。